Prüfungsinformationen
Lernaufwand
Beschreibung
Kennen und Vergleichen der industriell genutzten Abscheideverfahren zur Herstellung einkristalliner Schichten. Physikalisches Verständnis des Schichtwachstums von Nanostrukturen. Abschätzung, welche Materialsysteme technisch herstellbar sind (prinzipiell, mit welcher Methode, welche Qualität, Aufwand etc.). Geläufiger Umgang mit den folgenden Sachverhalten: Einkristallherstellung und Analyse, Filmherstellung, Dotierung (Dotierungsmethoden), Vakuumtechnik, Materialquellen, "in situ" und "ex situ" Analyse, mögliche Bauelemente.
Einführung in die Physik verschiedener Abscheidetechniken zur Herstellung einkristalliner Filme: Erklärung und Vergleich industriell angewandter Herstellungstechniken und Charakterisierungstechniken zur Erzeugung von epitaktischen Schichten (Dielektrika, Halbleiter, Metalle/Supraleiter): Beschreibung verschiedener Wachstumsverfahren (MBE, MO-MBE, ALE, CVD, MO-CVD, Laser-CVD, PA-CVD, LPE, etc.) und der dazu notwendigen Ausstattung (Vakuumtechnik, Materialquellen, Substratvorbehandlung etc.): Dotierungsmethoden, "in situ" und "ex situ" Analysemethoden (Zusammensetzung, Reinheit, Strukturanalyse, Ladungsträger, optische und elektrische Eigenschaften): Herstellungsmethoden von eindimensionalen Strukturen durch verschiedene Wachstumstechniken (Quantendrähte durch Überwachsen etc.): Diskussion möglicher Anwendung neuester Materialsysteme.